IGBT модуль MIAA-HB12FA-200N, полумост, 200А, 1200В.

- Под заказ
- Только оптом
от 133 руб.
- +375-29-613-05-64
- График работы
- Адрес и контакты
Описание
Транзисторная сборка MIAA-HB12FA-200N
Тип транзисторов IGBT
Схема соединения "Полумост"
Средний ток 200А. Напряжение 1200В
Техническая информация в формате PDF смотрите здесь или можно скачать в разделе "Спецификации" ниже на странице. Производитель полного цикла сборки ЗАО "Протон-Электротекс" Россия, чип IGBT Fuji Electric Япония.
Официальный поставщик в Республику Беларусь ― Частное предприятие "Силовая электроника" г.Минск . При заказе изделий обращаться для консультаций по телефону/факсу +375-17-205-82-45 или по средствам электронной почты Sil.electro@gmail.com. При заключении договоров поставки или формировании коммерческого предложения просим присылать на электронную почту Sil.electro@gmail.com реквизиты, наименование изделий, количество. Счет и договор и другую необходимую информацию отправляем на указанный вами адрес.
При поставке на изделия прилагаются паспорта, протоколы технических испытаний каждого модуля, сертификат качества, копия таможенной декларации, подтверждающая официальный ввоз товара в страну от производителя. Осуществляем гарантийное сопровождение, производим акты технических экспертиз при анализе возможных причин отказа.
Техническая информация на IGBT модуль здесь.
Образец паспорта на транзисторный модуль IGBT здесь
В ряде случаев передаем на опытные испытания безвозмездно образцы данных изделий, например, при разработке новых перспективных изделий или оборудования, а также при переходе с образцов других производителей на изделия аналогичные, в том числе при ремонте.
IGBT модуль типа MIAA-HB12FA-200N ― транзисторная сборка, функционально соответствующая таким модулям IGBT, как
SKM200GB12Т4 Semikron,
SKM200GB12V Semikron, pdf
FF200R12KE3 Infineon, pdf
FF200R12KТ3 Infineon,
Информация для заказа
- Цена: от 133 руб.