IGBT модуль MIAA-HB12FA-200N, полумост, 200А, 1200В.

 

 Транзисторная сборка  MIAA-HB12FA-200N

Тип транзисторов IGBT

Схема соединения "Полумост"

  Средний ток 200А. Напряжение 1200В

       Техническая информация в формате PDF смотрите здесь или можно скачать в разделе "Спецификации" ниже на странице. Производитель полного цикла сборки ЗАО "Протон-Электротекс" Россия, чип IGBT Fuji Electric Япония.

       Официальный поставщик в Республику Беларусь ― Частное предприятие "Силовая электроника" г.Минск . При заказе изделий обращаться для консультаций по телефону/факсу +375-17-205-82-45 или по средствам электронной почты Sil.electro@gmail.com. При заключении договоров поставки или формировании коммерческого предложения просим присылать на  электронную   почту  Sil.electro@gmail.com  реквизиты, наименование изделий, количество. Счет и договор и другую необходимую информацию отправляем на указанный вами адрес.

        При поставке на изделия прилагаются паспорта, протоколы технических испытаний каждого модуля, сертификат качества, копия таможенной декларации, подтверждающая официальный ввоз товара в страну от производителя. Осуществляем гарантийное сопровождение, производим акты технических экспертиз при анализе возможных причин отказа.

       Техническая информация на IGBT модуль здесь.

       Образец паспорта на транзисторный модуль IGBT здесь

       В ряде случаев передаем на опытные испытания безвозмездно образцы данных изделий, например, при разработке новых перспективных изделий или оборудования, а также при переходе с образцов других производителей на изделия аналогичные, в том числе при ремонте.

      IGBT модуль типа  MIAA-HB12FA-200N  ― транзисторная сборка, функционально соответствующая таким модулям IGBT, как

SKM200GB12Т4 Semikron,

SKM200GB12V Semikron, pdf

FF200R12KE3 Infineon,  pdf

FF200R12KТ3 Infineon,