IGBT транзисторный модуль FF300R12KE3G , BSM300GB120DN2.
- В наличии
- Только оптом
Цену уточняйте
- +375 (29) 613-05-64
FF300R12KE3G - IGBT транзисторный модуль.
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 300 A
Максимальный импульсный ток: 600 А
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Рассеяние мощности: 1450 W
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Вид монтажа: Screw
IGBT модуль FF300R12KE3G - транзисторная сборка функционально соответствующая следующей схеме:
Техническая информация в формате PDF можно скачать в спецификациях ниже.
Наиболее приемлемый вариант замены данного модуля IGBT на аналогичный но другого производителя смотрите здесь
УП "Силовая электроника" тел.факс 017-2058245, тел. 029-6130564
- Цена: Цену уточняйте
Частное торговое унитарное предприятие «Силовая электроника»
г. Минск, ул. М. Лынькова, 77, 2-ой этаж, к.1
Дата регистрации в Торговом реестре/Реестре бытовых услуг: Не подлежит занесению в реестр
Номер в Торговом реестре/Реестре бытовых услуг: Не подлежит занесению в реестр, Республика Беларусь
УНП: 191243967
Регистрационный орган: Минский горисполком
Дата регистрации компании: 08.06.2009
Режим работы:
| День | Время работы |
|---|---|
| Понедельник | 09:00-17:00 12:30-13:00 |
| Вторник | 09:00-17:00 12:30-13:00 |
| Среда | 09:00-17:00 12:30-13:00 |
| Четверг | 09:00-17:00 12:30-13:00 |
| Пятница | 09:00-16:00 12:30-13:00 |
| Суббота | Выходной |
| Воскресенье | Выходной |